目前传统的石英制备方法有电熔法、气炼法、直接合成法、间接合成法、等离子化学气相沉积和溶胶凝胶法等。其中电熔和气炼方法是指使用天然结晶石英（水晶或者纯的硅石）经过熔融制成石英；而剩余四种均为合成法，是通过硅化物（SiCl4）经过化学气相沉积制成石英。石英因制备方法的不同，在SiO2纯度、羟基含量等指标上表现不同，从而导致不同的材料特性。

电熔法即是石英原料在真空（5×10－2mmHg）或低压惰性（N2）介质中电熔。

气炼法是采用氢氧焰或其它碳氢化物（乙炔）等可燃气体产生高热来熔化物料。

由于是水解过程制备，石英含有较多的水分，羟基（OH-）大约为500-1500ppm，并含有溶解在玻璃结构中的H2。因为羟基的存在，玻璃的耐热性变差，且对红外区域吸收能力较强，该类玻璃不适合应用于半导体的热处理器材以及光纤。但是由于羟基的存在，玻璃的紫外光透过率高，且能长时间的接受紫外激光的照射，所以适用于做光刻掩膜版的基板和激光光刻系统内的光学透镜。

间接合成使用的原料也是SiCl4，H2和O2气体，但该方法先让SiO2微粒堆积成棒，所得的棒为多孔质且不透明结构，经烧结后可制成透明的玻璃棒。

等离子法也是合成不含-OH的石英的方法之一。利用由高频电磁场的感应耦合作用而产生等离子体灯炬，内核温度高达15000K，熔料被融化。

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